STH260N6F6-6

在追求极致效率的功率转换设计中，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？当电流高达180A的应用场景摆在面前，选择一颗既能承载大电流又具备超低导通电阻的MOSFET，往往是决定系统成败的关键。现在，让我们向您隆重介绍意法半导体DeepGATE技术家族的杰出代表STH260N6F6-6。这颗采用先进STripFET VI技术的N沟道功率MOSFET，以其仅2.4毫欧的超低导通电阻（Rds(on)），在60A电流下就能将导通损耗降至极低水平，这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，更多的能量被高效地输送到负载端，直接为您带来系统整体能效的显著提升和散热设计的简化。

无论是服务器电源、高性能通信设备，还是工业电机驱动、大功率DC-DC转换模块，STH260N6F6-6都能游刃有余。其60V的漏源电压和高达180A的连续漏极电流承载能力，为高功率密度设计提供了坚实的硬件基础。而优化的栅极电荷（Qg）特性，确保了快速、干净的开关行为，这对于高频开关应用至关重要，能有效降低开关损耗，提升系统响应速度。面对复杂的电磁环境，其稳定的性能表现能让您的产品在各种严苛条件下都保持可靠运行。

选择STH260N6F6-6，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺与性能保障。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现能效突破的战略性选择。其H2PAK-6封装形式兼顾了优异的散热性能和紧凑的占板面积，让您在有限的空间内也能实现强大的功率处理能力。虽然该型号已进入停产状态，但通过值得信赖的ST代理商，您依然可以获得稳定可靠的货源和专业的技术支持，确保您的项目顺利进行和长期维护。立即行动，让STH260N6F6-6成为您下一代高性能电源或驱动系统的核心动力，开启高效、可靠的新篇章。

• 型号:STH260N6F6-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:183 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
• STH260N6F6-6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。