STH270N4F3-6

在追求极致效率的电力电子世界，您是否还在为功率转换系统的损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一个能够承载180A大电流却几乎不产生热量的开关器件，将如何彻底改变您的设计格局。今天，我们向您隆重介绍STH270N4F3-6，这颗来自ST意法半导体的高性能N沟道MOSFET，正是为解决这些核心挑战而生。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升系统能效、实现紧凑设计的强大引擎。

当我们将目光投向汽车电驱、高端服务器电源或工业电机驱动这些严苛的应用场景时，对功率器件的考验是全方位的。STH270N4F3-6凭借其卓越的基因，游刃有余。在电动汽车的DC-DC转换器中，它极低的1.7毫欧导通电阻意味着更少的能量以热的形式浪费，直接转化为更长的续航里程。在数据中心，面对24/7不间断运行的服务器电源，其高达300W的功率处理能力和175°C的结温工作上限，确保了系统在高温高负载下的绝对可靠与稳定。其符合AEC-Q101标准的汽车级品质，更是为安全至上的汽车应用提供了坚实的保障，让每一次加速、每一次能量回收都精准而高效。

选择STH270N4F3-6，就是选择了一种面向未来的设计哲学。它采用的先进STripFET III技术，在相同的硅片面积上实现了更优的电阻与电荷平衡，这不仅带来了惊人的功率密度，也让您的散热设计变得更加简单。HPAK封装专为大电流和高效散热优化，帮助您轻松应对空间限制。虽然该型号已进入停产周期，但其卓越的性能指标和广泛的市场验证，使其成为特定高端或存量项目升级的经典之选。为确保您能获得可靠的原装正品与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST代理商进行咨询与采购。让STH270N4F3-6成为您下一个明星产品的强大心脏，释放前所未有的性能潜力。

• 型号:STH270N4F3-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.7 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
• STH270N4F3-6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。