STH272N6F7-6AG

在追求极致效率的电力电子世界，您是否曾为系统损耗而烦恼？当每一瓦特的浪费都意味着性能的妥协与成本的增加，选择一颗真正高效的功率开关器件，就成为决定产品成败的关键。今天，我们为您带来一个颠覆性的解决方案STH272N6F7-6AG。这款来自意法半导体STripFET F7 Automotive系列的N沟道MOSFET，以其惊人的1.5毫欧超低导通电阻，重新定义了60V电压等级下的性能标杆。想象一下，在高达180A的连续电流下，它依然能保持极低的发热和能量损耗，这不仅仅是参数的提升，更是为您产品注入的强大竞争力。

无论是面对严苛的汽车引擎控制单元、高功率DC-DC转换器，还是 demanding 的工业电机驱动和UPS不间断电源系统，STH272N6F7-6AG都能游刃有余。其AEC-Q101车规级认证，确保了在-55°C至175°C的极端温度范围内稳定可靠地工作，完全满足汽车电子对耐久性和安全性的最高要求。在新能源车的OBC（车载充电机）或主驱逆变器中，它的高效能直接转化为更长的续航里程；在服务器电源和电信基站里，它的低损耗意味着更低的运营成本和更小的散热系统设计压力。它不仅仅是一个组件，更是您实现产品小型化、轻量化与高效化愿景的核心引擎。

为何众多领先厂商在关键项目中信赖STH272N6F7-6AG？答案在于它无与伦比的综合价值。极低的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）特性，让开关速度更快，开关损耗更低，从而轻松应对高频应用挑战，让您的系统设计更加灵活高效。H2PAK-6封装不仅提供了卓越的散热性能和功率处理能力（高达333W），其表面贴装形式也完美适配现代自动化生产线。选择它，就是选择了一份由意法半导体尖端STripFET F7技术背书的质量保证。若您正在寻找稳定可靠的供货与技术支援，我们的合作伙伴专业的ST中国代理团队，将为您提供从选型到量产的全方位服务。立即采用STH272N6F7-6AG，让它成为您下一代高性能电源与驱动设计的强大心脏，共同开启能效新纪元。

• 制造商产品型号：STH272N6F7-6AG
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：Automotive, AEC-Q101, STripFET F7
• 零件状态：不用於新
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：60V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：180A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.5 毫欧 @ 90A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：170nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：11000pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：333W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：H2PAK-6
• STH272N6F7-6AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。