STH275N8F7-2AG

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为系统效率的微小提升而绞尽脑汁？每一次开关损耗的降低，都意味着更长的续航、更低的发热和更强的竞争力。现在，答案就在STH275N8F7-2AG这颗性能猛兽之中。它不仅仅是一个参数表上的佼佼者，更是您实现产品性能飞跃的关键引擎。想象一下，在80V的电压平台上，能够持续承载高达180A的电流，而导通电阻却低至惊人的2.1毫欧，这意味着在每一次电流通过时，能量都以近乎无损的方式被高效传递，将宝贵的电能最大限度地转化为您需要的动力，而不是恼人的热量。

这种卓越的性能，让STH275N8F7-2AG天生就是为高要求应用场景而生的。无论是正在快速迭代的电动汽车车载充电机(OBC)和DC-DC转换器，还是对可靠性有着严苛标准的工业电机驱动和UPS不间断电源，甚至是需要大功率密集输出的服务器电源和焊接设备，它都能游刃有余。其符合AEC-Q101车规级认证的身份，更是为您的汽车电子项目提供了从设计到量产的全程信心保障。在-55°C到175°C的广阔结温范围内稳定工作，确保您的设备无论面对严寒还是酷暑，都能持续输出澎湃而稳定的动力。

选择STH275N8F7-2AG，就是选择了一套经过市场验证的高性能解决方案。它源自意法半导体备受赞誉的STripFET F7技术平台，这一平台以极低的栅极电荷(Qg)和优异的开关特性著称，能显著降低开关损耗，让您的系统整体效率再上一个台阶。其H2PAK-2封装不仅提供了出色的散热能力，支持高达315W的功率耗散，也为自动化生产带来了便利。当您致力于打造下一代高性能电源或驱动系统时，这颗芯片就是您最值得信赖的伙伴。为了确保您能获得稳定可靠的货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行采购，这将是您项目成功的重要基石。

• 型号:STH275N8F7-2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.1 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:193 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:13600 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH275N8F7-2AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。