STH315N10F7-2

在追求极致效率的电力电子世界，您是否还在为功率损耗和散热问题而妥协？当电流高达180A时，每毫欧的导通电阻都意味着巨大的能量浪费和热量堆积。现在，这一切将被重新定义。我们隆重推出STH315N10F7-2，这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其惊人的2.3毫欧超低导通电阻（@60A, 10V），为您打开了通往更高能效、更小体积、更强性能的大门。它不仅仅是一个开关，更是您系统动力心脏的革新者，将电能转换的损耗降至前所未有的低点，让每一分能量都物尽其用。

想象一下，在新能源汽车的电机驱动器中，或在服务器和数据中心的高密度电源模块里，甚至在工业自动化设备的强劲电机控制单元中，STH315N10F7-2都能大显身手。它100V的漏源电压和180A的连续漏极电流承载能力，足以应对严苛的大功率应用场景。其采用的先进STripFET VII技术和DeepGATE结构，确保了在高温下依然保持卓越的开关性能和稳定性，工作结温高达175°C，让您的设备无惧高温环境的挑战，可靠运行。选择它，就是为您的产品注入了来自汽车级（AEC-Q101）认证的可靠基因。

为何众多领先的设计师都将目光投向STH315N10F7-2？答案在于它带来的综合价值飞跃。超低的Rds(on)直接转化为更低的导通损耗和更少的发热，这意味着您可以使用更小的散热器，甚至简化散热设计，从而显著降低系统整体成本和体积。同时，优化的栅极电荷（Qg）特性有助于实现更快、更干净的开关，减少开关损耗，进一步提升系统频率和效率。无论是为了提升终端产品的能效等级以赢得市场，还是为了在紧凑空间内实现更大的功率输出，这颗芯片都是您不容错过的选择。若您正在寻找稳定可靠的货源与技术支持，我们的合作伙伴，作为资深的ST一级代理，将为您提供从选型到供应的全方位服务，确保您的创新之旅畅通无阻。

• 型号:STH315N10F7-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.3 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:180 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH315N10F7-2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。