STH3N150-2

在追求极致能效与可靠性的高功率应用领域，工程师们是否常常面临这样的挑战：如何在严苛的电压环境下，确保开关器件既稳定高效，又能从容应对散热与空间的双重压力？现在，答案变得前所未有的清晰。我们隆重推出意法半导体PowerMESH家族中的高电压明星STH3N150-2。这颗N沟道MOSFET以其高达1500V的漏源击穿电压和2.5A的连续漏极电流能力，为您的高压设计蓝图注入了强大的心脏，让能量转换过程更加游刃有余。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器或大功率开关电源的核心电路中，STH3N150-2正扮演着关键角色。它卓越的耐压特性，让系统能够轻松应对电网波动和复杂的负载变化，确保设备在恶劣环境下依然坚如磐石。其采用的先进HPAK封装，不仅提供了优异的散热性能，将高达140W的功率耗散能力转化为实实在在的可靠性，其表面贴装的设计也顺应了现代电子设备小型化、高密度的潮流，为您的PCB布局节省了宝贵的空间。

选择STH3N150-2，就是选择了一份从容与信心。它在10V驱动电压下，导通电阻最大值仅为9欧姆，这意味着更低的导通损耗和更高的整体效率，直接转化为更低的运营成本和更绿色的能源足迹。极低的栅极电荷（29.3nC）和输入电容，确保了快速、干净的开关特性，显著减少了开关损耗和电磁干扰（EMI），让您的系统设计在性能与合规性之间取得完美平衡。高达150°C的结温工作能力，更是赋予了产品无与伦比的鲁棒性。如果您正在寻找值得信赖的合作伙伴，专业的ST代理将为您提供从选型支持到稳定供应的全方位服务，让创新之路畅通无阻。

• 型号:STH3N150-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 欧姆 @ 1.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:939 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），变体
• STH3N150-2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。