STH410N4F7-2AG

在追求极致能效的电力电子世界里，您是否还在为寻找一款既能承载大电流、又具备超低损耗的功率开关而烦恼？想象一下，一个关键元件就能显著提升整个系统的续航与响应速度，这并非遥不可及。今天，我们为您带来的STH410N4F7-2AG，正是这样一款能够重新定义性能边界的N沟道功率MOSFET。它不仅仅是一个组件，更是您释放产品潜能、构建竞争优势的核心引擎。

这颗芯片的强大，首先体现在它惊人的“吞吐”能力与极致的“节俭”哲学上。高达200A的连续漏极电流，让它足以轻松驾驭严苛的高功率应用，而低至1.1毫欧的导通电阻，则意味着在电流通过时，绝大部分能量都用于驱动负载，而非白白转化为热量损耗。这种高效率直接转化为更长的运行时间、更小的散热系统需求以及更可靠的整体表现。无论是面对瞬间的峰值电流还是持续的满载运行，它都能稳如磐石，确保您的系统动力澎湃且冷静从容。

它的舞台遍布现代工业与汽车电子的核心领域。在新能源汽车中，它是电机驱动、车载充电器(OBC)和DC-DC转换器中的理想选择，助力实现更快的加速响应和更长的续航里程。在工业自动化领域，从伺服驱动器到大功率电源，STH410N4F7-2AG都能提供稳定可靠的开关性能，提升设备的生产效率与稳定性。它同样适用于需要高效能量管理的通信基站电源和不断电系统(UPS)，确保关键基础设施的持续稳定运行。其符合AEC-Q101标准的汽车级品质，更是为这些要求严苛的应用场景提供了坚实的质量背书。

选择STH410N4F7-2AG，就是选择了一份来自意法半导体STripFET F7尖端技术的保障。我们深知可靠的供应链至关重要，通过权威的ST代理渠道，您可以获得正品保障与及时的技术支持。这颗芯片采用H2PAK-2封装，在提供卓越散热性能的同时优化了PCB空间布局，让您的设计更紧凑、更高效。从-55°C到175°C的宽广工作结温范围，让它无惧严寒酷暑，在各种极端环境下依然保持出色性能。当您将这样一颗集高性能、高可靠性与高能效于一身的芯片融入设计，您所收获的将不仅是产品参数的提升，更是终端用户体验的飞跃和市场口碑的坚实积累。立即行动，让STH410N4F7-2AG成为您下一个成功产品的强大心脏。

• 型号:STH410N4F7-2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:141 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:365W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH410N4F7-2AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。