STH6N95K5-2

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高电压与低损耗的“心脏”？现在，答案就在眼前。我们隆重推出STH6N95K5-2，这颗基于意法半导体革命性MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，正是为突破传统功率限制而生的杰作。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品性能、赢得市场竞争力的关键引擎。其高达950V的漏源电压和6A的连续漏极电流能力，意味着在严苛的工业电源、服务器电源或新能源逆变器应用中，它能提供前所未有的稳定性和功率处理裕度，让您的设计从容应对电压尖峰和复杂负载。

想象一下，在您的下一代高效率开关电源（SMPS）中，STH6N95K5-2如何大显身手。无论是要求严苛的工业电机驱动、不断电系统（UPS），还是快速成长的电动汽车充电桩和太阳能逆变器，这颗芯片都能成为能量转换的核心。其极低的导通电阻（仅1.25欧姆@3A,10V）和优化的栅极电荷（13nC），直接转化为更低的导通损耗和开关损耗，这意味着系统整体效率的显著提升和散热设计的简化。在追求绿色能源和节能降耗的今天，选择它，就是选择了更高的能效标准和更长的产品寿命。

那么，在众多功率器件中，为何STH6N95K5-2值得您优先考虑？首先，MDmesh K5技术是其卓越性能的基石，它通过创新的单元结构和工艺，在击穿电压、导通电阻和开关速度之间取得了完美平衡。其次，其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）和强大的功率耗散能力（110W），确保了在极端环境下的可靠运行，大幅提升了终端产品的耐用性。最后，选择它意味着您获得了来自全球半导体领袖ST意法半导体的品质保证与持续的技术支持。如果您正在寻找可靠的供应与专业服务，我们的合作伙伴资深的ST中国代理将为您提供从选型到量产的全方位支持。立即采用STH6N95K5-2，让它为您的功率系统注入强劲、高效、可靠的动力，共同开启高性能电源设计的新篇章。

• 型号:STH6N95K5-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 6A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.25 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH6N95K5-2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。