STI100N10F7

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否还在为寻找一款既能承载大电流，又能保持低损耗的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STI100N10F7。这款来自意法半导体STripFET家族的N沟道MOSFET，以其100V的耐压和高达80A的连续漏极电流能力，重新定义了中高功率应用的性能标杆。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体效率、缩小体积并增强可靠性的关键引擎。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或新能源车载充电器中，STI100N10F7正以其卓越的性能稳定运行。它能够轻松应对严苛的开关环境，将电能高效、精准地传递到每一个需要它的角落。无论是需要快速响应的DC-DC转换拓扑，还是对热管理要求极高的不间断电源（UPS）系统，这款芯片都能凭借其优异的导通特性和坚固的I2PAK（TO-262）通孔封装，确保系统长时间稳定工作，大幅降低因器件过热或失效而导致的风险，让您的产品在激烈的市场竞争中赢得先机。

选择STI100N10F7，就是选择了一份由尖端技术与成熟工艺共同保障的信心。它继承了STripFET系列低栅极电荷（Qg）的优良传统，这意味着更低的开关损耗和驱动需求，让您的控制电路设计更简单，系统能效比更高。其稳健的电气参数为设计提供了充足的余量，有效提升了产品的耐用性和生命周期。如果您正在寻找可靠的供货与技术支持，我们的合作伙伴专业的ST中国代理团队，将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STI100N10F7成为您下一个成功产品的强大心脏，共同开启高效、可靠的电力转换新篇章。

• 制造商产品型号：STI100N10F7
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：STripFET
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：80A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：60nC @ 25V
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：-
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I2PAK（TO-262）
• STI100N10F7的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。