STI10NM60N

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源转换方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一个能同时驾驭600V高压和10A电流的开关器件，却能将导通电阻控制在极低的水平，这不仅仅是参数的提升，更是系统性能的一次飞跃。现在，STI10NM60N的到来，正将这种想象变为触手可及的现实。

这颗源自ST意法半导体MDmesh II家族的N沟道功率MOSFET，天生就是为高效而生。它采用先进的超结技术，在600V的漏源电压下，导通电阻（RDS(on)）低至550毫欧，这意味着在相同的电流下，它能产生更少的热量，让您的电源模块运行得更凉爽、更持久。无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断电系统(UPS)和照明镇流器，它都能轻松融入，成为提升整机效率的“心脏”。其高达70W的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了在最严苛的环境下也能稳定输出，让您的产品设计无惧挑战。

选择STI10NM60N，就是选择了一份经过市场验证的可靠与高效。其I2PAK（TO-262）通孔封装不仅提供了优异的散热性能，也便于在现有生产线上的焊接与安装。尽管该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用基础，使其成为特定存量项目升级或寻找高性价比替代方案的绝佳选择。为了确保您能获得正品货源和稳定的供应支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST代理商进行采购。这不仅仅是一颗MOSFET的选型，更是您为产品注入持久竞争力、赢得市场信赖的关键一步。让它为您的下一个设计，开启高效节能的新篇章。

• 型号:STI10NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:540 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI10NM60N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。