STI13NM60N

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，您是否曾为功率器件的开关损耗与热管理而困扰？现在，让我们向您隆重介绍一个卓越的解决方案STI13NM60N。这款来自意法半导体MDmesh II家族的N沟道MOSFET，以其600V的耐压和11A的连续电流能力，为您打开了高效功率转换的新大门。它不仅仅是一个晶体管，更是提升您产品整体性能与市场竞争力的关键引擎。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动应用中，STI13NM60N正悄然发挥着核心作用。其先进的MDmesh II技术显著降低了导通电阻（Rds(on)），在10V驱动下仅360毫欧，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。无论是工业变频器、UPS不同断电源，还是照明镇流器，它都能确保系统在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定运行，让您的设备在面对严苛环境时依然从容不迫。

选择STI13NM60N，就是选择了一份经得起考验的卓越与安心。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，使得开关速度更快、驱动更轻松，直接助力于提升系统整体频率和效率。通孔I2PAK封装提供了优异的散热能力和机械强度，确保功率能够安全可靠地传递。当您通过值得信赖的ST授权代理获取此产品时，您获得的不仅是一颗高品质芯片，更是来自意法半导体的技术保障和全链路支持，让您的创新之路再无后顾之忧。

• 型号:STI13NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:790 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI13NM60N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。