STI175N4F6AG

在追求极致能效的电力转换世界中，您是否还在为功率损耗和散热问题而困扰？想象一下，一款能够在高达120A的连续电流下，将导通电阻降至仅2.7毫欧的功率开关，将如何彻底改变您的电源设计。这正是STI175N4F6AG带来的革命性体验，它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体STripFET F6系列技术的巅峰之作，专为那些对效率、功率密度和可靠性有严苛要求的应用而生。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是高功率DC-DC转换器，甚至是严苛环境下的汽车辅助系统，STI175N4F6AG都能游刃有余。其40V的漏源电压和高达175°C的结温工作能力，赋予了它无与伦比的坚固性和环境适应性。这意味着您的设备可以在更广泛的温度范围内稳定运行，减少因过热导致的故障风险，从而显著提升终端产品的耐用性和市场竞争力。选择它，就是为您的核心动力单元注入了高效、冷静的“心脏”。

那么，为何众多领先的设计师会青睐这款器件？答案在于其卓越的综合性能价值。极低的Rds(on)直接转化为更少的导通损耗，更高的系统效率随之而来，这不仅节省了能源，也大幅减轻了散热系统的负担和成本。同时，优化的栅极电荷（Qg）特性确保了快速、干净的开关动作，让您在追求高频高效设计时更加得心应手。尽管该型号已停产，但通过可靠的ST授权代理渠道，您依然可以获得有保障的库存和专业的技术支持，确保项目供应链的稳定与安全。在功率电子领域，性能与可靠性的平衡至关重要，STI175N4F6AG正是经过市场验证的经典之选，它能帮助您将创新构想快速、稳健地转化为现实产品，赢得市场先机。

• 制造商产品型号：STI175N4F6AG
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：STripFET F6
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：40V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：120A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.7 毫欧 @ 60A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：130nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7735pF @ 20V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：190W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I2PAK（TO-262）
• STI175N4F6AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。