STI17NF25

当您的电源转换系统需要在高电压环境下保持稳定输出时，是否曾为开关损耗和散热问题而烦恼？现在，答案来了。我们隆重推出STI17NF25，这颗源自ST意法半导体STripFET II家族的N沟道功率MOSFET，正是为高效、可靠的功率管理而生的卓越解决方案。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、降低系统复杂度的关键钥匙。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或是高功率LED照明驱动器中，STI17NF25正以其250V的耐压能力和17A的连续电流承载能力，从容应对各种严苛挑战。其极低的导通电阻（典型值远低于165毫欧）意味着更少的能量以热的形式浪费，直接转化为更高的系统效率和更长的运行寿命。无论是面对频繁的开关动作，还是需要处理瞬间大电流，它都能确保信号清晰、响应迅速，让您的设备运行如丝般顺滑。

选择STI17NF25，就是选择了一份来自业界巨头的品质承诺。STripFET II技术确保了出色的开关性能和坚固性，而I2PAK封装则提供了优异的散热能力和通孔安装的可靠性。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计、广泛的应用验证以及通过ST中国代理渠道可能获得的库存支持，使其成为许多经典设计升级或长期维护项目的明智之选。它代表了一个经过时间考验的可靠时代，能够帮助您平衡性能、成本与供应链的稳定性，让创新没有后顾之忧。

• 型号:STI17NF25
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 17A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI17NF25的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。