STI18N65M5

在追求更高能效与可靠性的功率转换设计中，您是否曾为开关损耗与系统稳定性之间的平衡而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够重新定义高性能标准的功率器件STI18N65M5。这款来自ST意法半导体MDmesh V家族的N沟道MOSFET，凭借其650V的卓越耐压能力和15A的连续漏极电流，为您的高要求应用场景注入了强大的动力核心。它不仅是一颗晶体管，更是您提升产品竞争力、实现能效飞跃的关键伙伴。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）或太阳能逆变器中，系统需要承受严苛的电压应力并实现快速、高效的开关。STI18N65M5正是为此而生。其MDmesh V技术专为优化开关性能而设计，在高压下依然保持极低的导通电阻（典型值），这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。当您的设备在满负荷运行时，这颗芯片能帮助系统保持冷静与高效，显著延长整体使用寿命，并为您赢得终端用户对可靠性的绝对信赖。

选择STI18N65M5，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能保障。其高达110W的功率耗散能力与150°C的结温工作范围，赋予了产品无与伦比的鲁棒性，轻松应对各种恶劣环境挑战。同时，优化的栅极电荷（Qg）特性确保了快速的开关速度，进一步降低了开关损耗，让您的电源设计在效率曲线上脱颖而出。如果您正在寻找稳定可靠的供货渠道与技术支持，我们的ST一级代理身份将为您提供从选型到量产的全方位服务支持。尽管该型号已处于停产状态，但其成熟的设计和卓越的性能指标，使其依然是许多经典或特定延续性项目中最值得信赖和考虑的选项之一，为您的设计提供久经考验的稳定性。

• 型号:STI18N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 650V 15A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1240 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI18N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。