STI21N65M5

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为功率器件的损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够将650V高压与17A大电流驾驭得游刃有余，同时还能将导通损耗降至新低的功率MOSFET，将如何彻底改变您的产品性能版图？现在，这一切不再是想象，STI21N65M5正是为此而生的卓越答案。

源自意法半导体备受赞誉的MDmesh V系列，这颗芯片的核心魅力在于其革命性的低导通电阻。在10V驱动电压下，仅179毫欧的Rds(on)值，意味着在相同的电流通过时，它能产生远低于同类产品的导通损耗。更少的能量以热量的形式浪费，直接转化为更高的系统效率和更低的运行温度。这不仅让您的终端产品更省电、更凉爽，也极大地减轻了散热设计的压力，为产品的小型化和高密度布局开辟了全新可能。其高达125W的功率处理能力和150°C的结温工作能力，更是为稳定可靠运行提供了坚实保障。

无论是服务器电源、工业电机驱动、光伏逆变器，还是高性能充电桩和UPS不间断电源，STI21N65M5都能成为其中高效功率转换的核心支柱。它卓越的650V耐压特性，能从容应对电网波动和感性负载带来的电压尖峰，确保系统在恶劣环境下依然坚如磐石。而优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）特性，使得开关过程更为迅速、干净，有助于减少开关损耗和EMI干扰，让您的电源设计不仅高效，而且“安静”。选择它，就是为您的设备注入一颗强劲而智慧的心脏。

当您决定将这份卓越的性能集成到您的下一个伟大设计中时，选择值得信赖的供应渠道至关重要。我们作为专业的ST授权代理，不仅能确保您获得原装正品的STI21N65M5，更能提供从技术选型支持到供应链保障的全方位服务。从降低系统总拥有成本到加速产品上市时间，这颗芯片所带来的价值远超其本身。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、赢得市场先机的战略伙伴。现在就拥抱MDmesh V技术，让STI21N65M5的强大动力，驱动您的创新驶向更高效的未来。

• 型号:STI21N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 17A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:179 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1950 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI21N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。