STI24N60M6

在追求极致能效的电力转换世界中，您是否还在为平衡系统性能与散热设计而烦恼？想象一下，一款能够同时提供卓越开关效率与出色热管理能力的功率器件，将如何彻底改变您的电源设计方案。今天，我们为您带来的正是这样一款划时代的解决方案STI24N60M6。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体MDmesh M6技术家族的杰出代表，专为应对高要求的中高功率应用而生，旨在将您的产品性能推向新的高度。

当我们将目光投向实际应用，STI24N60M6的身影活跃于众多关键领域。无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断电系统(UPS)和太阳能逆变器，这颗芯片都能游刃有余。其600V的漏源电压和高达17A的连续漏极电流，为系统提供了坚实可靠的功率处理核心。采用通孔式I2PAK封装，不仅确保了强大的电流承载能力，更优化了散热路径，让热量能够迅速导出，从而在紧凑的空间内实现更高的功率密度和更长的使用寿命。这意味着，您的设备可以在更苛刻的环境下稳定运行，减少故障率，提升终端用户的信赖度。

选择STI24N60M6，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。它继承了ST意法半导体在功率半导体领域数十年的技术积淀，MDmesh M6结构显著降低了导通电阻和栅极电荷，从而大幅削减了开关损耗和导通损耗。这种效率的提升直接转化为更低的温升和更高的能源利用率，帮助您的终端产品轻松满足日益严苛的能效标准，如80 PLUS钛金认证等。此外，通过与值得信赖的ST芯片代理合作，您不仅能获得正品保障和稳定的供货支持，还能获取专业的技术咨询和本地化服务，让您的产品开发之旅更加顺畅高效。现在就拥抱STI24N60M6，让它成为您打造下一代高效、紧凑、可靠电源系统的秘密武器，共同开启绿色能源新时代。

• 型号:STI24N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tj）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:960 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI24N60M6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。