STI24NM60N

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为开关损耗与系统稳定性之间的平衡而困扰？现在，让我们向您介绍一款历经市场验证的功率解决方案STI24NM60N。它不仅仅是一颗MOSFET，更是意法半导体MDmesh II技术家族的杰出代表，以其600V的耐压和17A的连续电流能力，为诸多中高功率应用场景注入了强劲而稳定的心脏。选择它，意味着您选择了一个在效率、热管理和长期可靠性方面都经过千锤百炼的伙伴。

无论是工业电机驱动、不间断电源（UPS），还是太阳能逆变器和开关电源（SMPS），STI24NM60N都能游刃有余。其190毫欧的低导通电阻（Rds(on)）意味着更低的传导损耗，在能量转换过程中为您节省每一分电力；而优化的栅极电荷（Qg）特性则确保了快速、干净的开关动作，有效降低了开关损耗和电磁干扰（EMI）。这意味着您的终端产品不仅能轻松应对严苛的工业环境，更能以更低的运行温度和更高的整体效率赢得市场青睐。当您需要稳定可靠的供货与技术支持时，我们的ST一级代理身份能为您提供从选型到量产的全程保障。

为何众多资深工程师在需要稳健、高效的600V MOSFET时会持续信赖这款产品？答案在于其背后强大的MDmesh II技术。这项技术通过创新的垂直结构，在击穿电压和导通电阻之间取得了卓越的平衡，使得STI24NM60N在提供高耐压的同时，依然保持了出色的导通性能。其通孔I2PAK封装不仅提供了优异的散热能力，支持高达125W的功率耗散，也使其在PCB布局和机械强度上更具优势。尽管它已不适用于全新设计，但这恰恰证明了其在过往大量应用中的成熟与可靠，是进行产品升级、维护或追求极致性价比时的明智之选。让这颗久经考验的功率器件，成为您提升产品竞争力、赢得客户信任的坚实基石。

• 型号:STI24NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 600V 17A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI24NM60N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。