STI270N4F3

想象一下，您的下一代汽车电子或工业电源系统，能否在更小的空间内，承载更高的功率密度，同时保持卓越的可靠性和效率？这正是STI270N4F3为您带来的核心价值。作为意法半导体STripFET III家族中的明星成员，这颗专为严苛环境打造的N沟道MOSFET，以其仅2.6毫欧的超低导通电阻和高达160A的连续漏极电流，重新定义了功率开关的性能标杆。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、实现能效飞跃的关键引擎。

无论是新能源汽车的DC-DC转换器、电机驱动，还是工业自动化中的大电流开关电源和电池管理系统，STI270N4F3都能游刃有余。其高达330W的功率耗散能力和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，确保了在极端温度与振动环境下依然稳定如山。这意味着您的设计可以更加紧凑，散热要求更低，系统整体可靠性却得到显著增强。选择它，就是为您的核心动力模块注入了持久而强劲的“心脏”。

为何众多领先厂商在关键设计中纷纷转向STI270N4F3？答案在于其无与伦比的综合价值。极低的Rds(on)直接转化为更少的导通损耗，显著提升系统效率并降低温升；优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）特性，让开关速度更快，驱动更轻松，进一步减少了开关损耗。这种从“芯”开始的效率优化，为终端产品带来了更长的续航、更冷静的运行和更小的体积。当您寻求稳定可靠的供应链与技术支持时，专业的ST代理商将成为您值得信赖的伙伴，确保这颗高性能芯片顺利集成到您的创新蓝图之中。

• 型号:STI270N4F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 160A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI270N4F3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。