STI28N60M2

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗功率器件，不仅拥有600V的坚固耐压屏障，更能将导通电阻控制在极低水平，让能量传输近乎无损这正是STI28N60M2为您带来的核心价值。作为ST意法半导体MDmesh M2家族的杰出代表，它专为应对高要求功率转换挑战而生，其卓越的电气特性直接转化为系统级的效率提升与可靠性保障。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断进化的电动汽车充电桩和太阳能逆变器，高效、稳定的功率开关都是系统心脏般的存在。STI28N60M2凭借其N沟道设计和优化的动态特性，在这些严苛的应用场景中游刃有余。它能够轻松处理高达22A的连续电流，同时将开关过程中的能量损耗降至最低，这意味着您的终端产品不仅能以更低的温升稳定运行，还能帮助用户显著节省能源成本，在市场竞争中赢得绿色与高效的双重口碑。

选择STI28N60M2，就是选择了一份经过验证的卓越与安心。其TO-262（I2PAK）封装提供了优异的功率耗散能力（高达170W），确保在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着它更容易被驱动，可以减少对驱动电路的要求，从而简化您的整体设计，加速产品上市进程。当您需要可靠的原厂品质与及时的技术支持时，选择一家资深的ST芯片代理合作伙伴至关重要，他们能确保您稳定获取这颗性能利器，并为您的创新之路保驾护航。让STI28N60M2成为您下一代高性能电源与驱动设计的强大引擎，开启能效新纪元。

• 型号:STI28N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 22A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1440 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI28N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。