STI300N4F6

在追求极致效率的电力转换世界，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一款能在160A连续电流下，将导通电阻压低至仅2.2毫欧的功率开关，将如何彻底改写您的系统性能与成本方程式？答案就在STI300N4F6之中。这颗来自意法半导体STripFET VI家族的N沟道MOSFET，不仅仅是一个组件，它是您通向更高能效、更紧凑设计和更强可靠性的钥匙。其采用的DeepGATE技术，在40V的电压平台上实现了惊人的低Rds(on)，意味着在相同的输出功率下，由它产生的热量将大幅减少，让您的系统运行得更冷静、更持久。

无论是服务器电源中要求严苛的同步整流，还是电动工具里需要瞬间爆发大电流的电机驱动，甚至是不断追求轻量化与长续航的新能源汽车车载充电器(OBC)，STI300N4F6都能游刃有余。它那高达300W的功率处理能力和宽广的-55°C至175°C结温工作范围，确保了在最恶劣的环境下依然稳定如山。当您的设计面临高功率密度挑战时，其I2PAK（TO-262）封装提供了优异的散热路径，让热管理变得前所未有的轻松，直接助力您缩小产品体积，提升市场竞争力。

选择STI300N4F6，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。它不仅仅意味着更低的导通损耗和更快的开关速度（得益于优化的栅极电荷），更代表着整个系统生命周期总成本的下降。更少的能量浪费转化为更低的运营电费，更出色的散热表现延长了周边元器件的寿命，而意法半导体一贯的高品质保证了极低的失效率。如果您正在寻找一个能同时提升性能、可靠性和性价比的功率解决方案，那么这款芯片无疑是您的理想之选。为了确保您能获得稳定可靠的货源与专业的技术支持，我们推荐您通过官方授权的ST一级代理进行采购，为您的成功增添一份保障。

• 型号:STI300N4F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 40V 160A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.2 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:240 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:13800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI300N4F6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。