STI34N65M5

当您的电源设计面临效率瓶颈，或是在追求更高功率密度时感到束手束脚，您是否渴望一颗能同时兼顾高性能与可靠性的功率开关解决方案？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体MDmesh V系列中的明星产品STI34N65M5。这颗650V N沟道功率MOSFET，以其卓越的电气特性和坚固的物理结构，专为应对严苛的高压、高频应用挑战而生，旨在将您的系统性能推向新的高度。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源(UPS)乃至新能源领域的充电模块中，功率转换的效率与稳定性直接决定了产品的市场竞争力。STI34N65M5正是为此类场景量身打造。其高达28A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，提供了充足的功率处理余量，确保系统在满载甚至过载情况下依然稳定运行。而MDmesh V第五代超结技术带来的核心优势极低的导通电阻（Rds(on)），意味着更少的导通损耗，直接转化为更低的温升和更高的整体能效，让您的产品在能效比拼中脱颖而出。

选择STI34N65M5，不仅仅是选择了一颗参数优秀的MOSFET，更是选择了一份经市场验证的可靠性与设计自由度。其优化的栅极电荷(Qg)与输入电容(Ciss)特性，显著降低了开关损耗，尤其适合高频开关应用，让您能够使用更小的磁性元件，从而实现更高的功率密度和更紧凑的产品设计。通孔I2PAKFP（TO-281）封装提供了出色的散热能力和机械强度，配合190W的强大功率耗散能力，轻松应对高温工作环境，大幅提升了系统的长期可靠性。如果您正在寻找稳定可靠的供货渠道与技术支持，我们的ST芯片代理团队随时准备为您提供从选型到量产的全方位服务。让STI34N65M5成为您下一代高性能电源与驱动设计的强大心脏，开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STI34N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 28A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STI34N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。