STI45N10F7

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为寻找一颗能在高功率场景下稳定输出、同时保持出色热管理的功率开关而反复权衡？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STI45N10F7。这颗源自意法半导体STripFET VII家族的N沟道MOSFET，以其100V的耐压和高达45A的连续电流能力，为工程师们提供了坚实的性能基石。其核心价值在于，它不仅仅是一个开关，更是提升系统整体效率、保障长期稳定运行的关键赋能者。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率DC-DC转换器中，能量转换的每一丝损耗都意味着成本的增加和可靠性的挑战。STI45N10F7正是为此类严苛应用而生。它采用先进的DeepGATE技术，将导通电阻（RDS(on)）在10V驱动下控制在极低的18毫欧水平，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生。当电流流过，更多的能量被高效传递，而非浪费在器件本身，直接转化为更凉爽的运行温度和更高的系统能效。其坚固的I2PAK（TO-262）通孔封装，提供了优异的散热路径，确保在-55°C至175°C的宽广结温范围内稳定工作，轻松应对环境波动与持续高负载的考验。

选择STI45N10F7，就是选择了一份经过验证的可靠性与性能保障。尽管其零件状态已标注为停产，但这恰恰证明了其经典的设计和卓越的可靠性已得到广泛应用和长期认可，对于许多成熟、注重长期供应稳定性和成本优化的项目而言，它依然是极具价值的选项。其优化的栅极电荷（Qg）特性有助于简化驱动电路设计，实现更快的开关速度，从而在开关电源中提升频率、减小磁性元件体积。无论是升级现有设计还是为高可靠性应用寻找基石，这颗芯片都能显著降低系统的总拥有成本。如需获取此经典器件的库存、技术支持或探讨替代与升级方案，我们的ST中国代理团队随时准备为您提供专业的服务与支持，助力您的产品在性能与可靠性上赢得先机。

• 型号:STI45N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 45A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 22.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1640 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI45N10F7的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。