STI55NF03L

在追求极致效率的电源管理设计中，您是否曾为寻找一款既能承载大电流，又能保持低导通损耗的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来的STI55NF03L，正是意法半导体STripFET II系列中的一颗明星产品，它将用高达55A的连续漏极电流和低至13毫欧的导通电阻，彻底改变您对30V级别N沟道MOSFET的性能认知。想象一下，在紧凑的空间内，电能以更低的损耗、更高的效率进行转换与控制，这不仅意味着系统整体能效的提升，更代表着散热设计的简化和产品可靠性的飞跃。

这款芯片的应用场景极为广泛，从服务器和通信设备的DC-DC转换器、负载点稳压器，到电动工具、无人机电池管理系统中的电机驱动与电池保护电路，甚至是汽车辅助系统中的低电压功率分配，STI55NF03L都能游刃有余。其坚固的I2PAK通孔封装，确保了出色的热性能和机械可靠性，能够轻松应对工业环境中的振动与温度挑战。当您的设计需要一颗能够在-60°C至175°C的严苛结温范围内稳定工作，同时响应迅速、开关损耗低的“强力心脏”时，它无疑是您的理想之选。

选择STI55NF03L，就是选择了一份由意法半导体顶尖工艺带来的品质保证。其优化的栅极电荷（Qg）特性，让驱动电路设计更为简单高效，显著降低了开关过程中的能量损失。这意味着您的终端产品不仅能以更低的温升运行，获得更长的使用寿命，还能在激烈的市场竞争中凭借更高的能效脱颖而出。为了确保您能便捷、可靠地获得这款优质芯片，我们推荐您通过官方授权的ST代理商进行采购，从而获得完整的技术支持、稳定的货源保障和无忧的售后服务，让您的创新之旅从一颗值得信赖的芯片开始。

• 型号:STI55NF03L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 55A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):55A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13 毫欧 @ 27.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1265 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-60°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI55NF03L的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。