STI6N95K5

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否正在寻找一款能够轻松驾驭高压环境，同时保持卓越性能的功率开关解决方案？今天，我们为您带来意法半导体MDmesh系列中的明星产品STI6N95K5。它不仅仅是一颗MOSFET，更是您构建高效、稳定电源系统的坚实基石。凭借高达950V的卓越耐压能力和9A的连续漏极电流，它天生就是为应对严苛挑战而生，让您的设计在高压前沿游刃有余。

想象一下，在工业电机驱动、高功率开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）乃至新能源逆变器等关键应用中，稳定与效率是生命线。STI6N95K5正是为此类高压、高可靠性场景量身打造。其先进的MDmesh技术，意味着更低的导通损耗和更优的开关性能，能显著提升系统整体效率，减少热量产生，从而延长设备寿命并降低散热成本。无论是面对复杂的工业环境波动，还是需要长时间稳定运行的能源基础设施，它都能提供令人安心的表现。

选择STI6N95K5，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺。意法半导体的技术底蕴确保了芯片的一致性和长期可靠性。其通孔（I2PAK/TO-262）封装形式，兼顾了优异的散热能力和坚固的机械特性，非常适合功率密度要求高的应用。更重要的是，通过正规的ST授权代理渠道获取，您不仅能获得原装正品保障，还能享受专业的技术支持与供应链服务，让您的产品从研发到量产全程无忧。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、赢得市场先机的强大助力。

• 型号:STI6N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:NCHANNEL 950V ZENER POWER MOSFET
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.25 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI6N95K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。