STI90N4F3

在追求极致能效的电力转换世界中，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？现在，答案已经揭晓。我们隆重推出意法半导体STripFET III家族的明星产品STI90N4F3。这颗N沟道功率MOSFET，以其高达80A的连续漏极电流和仅为6.5毫欧的超低导通电阻，重新定义了40V应用下的性能标杆。它不仅仅是一个开关，更是您系统实现高效、低温、稳定运行的强大心脏，将能量损耗降至前所未有的低点，让每一分电力都物尽其用。

想象一下，在您的电机驱动系统中，STI90N4F3能够以极快的开关速度和极低的导通压降，精准控制电机转矩与转速，无论是工业机械臂还是电动工具，都能获得更迅捷的响应和更长的续航。在DC-DC转换器和同步整流应用中，其卓越的开关特性直接转化为更高的转换效率，意味着您的电源产品可以做得更小巧、更凉爽，同时满足日益严苛的能效标准。即便是面对汽车电子中的辅助驱动或负载开关等挑战性环境，其宽广的-55°C至175°C结温工作范围和坚固的I2PAK封装，也确保了在颠簸、震动与高低温冲击下的绝对可靠性。

选择STI90N4F3，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。它源自意法半导体先进的STripFET III技术平台，该平台以优化栅极电荷（Qg）与导通电阻（Rds(on)）的比值而闻名，这意味着您能以更小的驱动损耗，获得更大的电流通过能力。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST一级代理渠道，您依然可以获取高质量的库存或替代方案支持，确保项目供应链的连续性与安全性。这颗芯片承载的，是意法半导体对功率密度与能效不懈追求的结晶，它等待被集成到您的下一个创新设计中，化身为动力源泉，驱动未来。

• 型号:STI90N4F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI90N4F3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。