STK20N75F3

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否曾为寻找一款既能承受高功率密度挑战，又能保持出色热性能的功率开关而苦恼？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STK20N75F3。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其75V的耐压能力和高达20A的连续漏极电流，为您的设计注入强劲动力。它不仅仅是一个开关，更是提升系统整体可靠性与效率的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高密度DC-DC转换器中，空间紧凑但散热需求严苛。STK20N75F3凭借其独特的PolarPak封装和先进的STripFET技术，完美应对这一挑战。其极低的导通电阻（仅7毫欧@10A）意味着更小的传导损耗，直接转化为更低的温升和更高的能源利用率。无论是应对-55°C到150°C的严酷工作温度，还是在频繁开关的工况下，它都能稳定运行，确保您的终端产品在激烈的市场竞争中凭借卓越的可靠性和能效脱颖而出。

选择STK20N75F3，就是选择了一份经过验证的性能保障。它集高电流处理能力、优异的开关特性（低栅极电荷Qg）和卓越的热管理于一身，让您的电源设计事半功倍。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和广泛的应用验证使其成为特定高可靠性项目或库存替换的绝佳选择。如需获取此经典器件的库存或技术支持，请联系我们专业的ST代理团队，我们将为您提供全面的支持，助您将创新的电力电子构想变为现实。

• 型号:STK20N75F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PolarPak
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 20A POLARPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3150 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5.2W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PolarPak
• 封装/外壳:PolarPak
• STK20N75F3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。