STL110N10F7

当您的下一个电源设计项目面临效率瓶颈时，是否曾想过，一颗小小的功率开关器件，竟能成为决定系统成败的关键？今天，我们为您带来一个能彻底改变游戏规则的解决方案STL110N10F7。这款来自意法半导体的N沟道MOSFET，以其卓越的性能参数，正在重新定义中高功率密度应用的效率标准。想象一下，在100V的电压平台上，它能持续承载高达107A的电流，而其导通电阻在10V驱动下仅为惊人的6毫欧，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生，直接为您带来更高的系统效率和更长的产品寿命。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断追求轻量化与长续航的新能源汽车车载充电器(OBC)和DC-DC转换器，STL110N10F7都能游刃有余。它采用的先进STripFET VII技术和DeepGATE结构，确保了在严苛的开关频率下依然保持出色的开关特性与稳定性。其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），意味着驱动电路的设计可以更简单，开关速度更快，从而显著降低开关损耗，让您的系统在高效与可靠之间找到完美平衡。面对从-55°C到175°C的宽广结温范围挑战，它都能稳定工作，为您的产品适应各种极端环境提供了坚实保障。

选择STL110N10F7，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一种面向未来的设计理念。其表面贴装的PowerFlat（5x6）封装，在提供强大功率处理能力的同时，极大节省了PCB空间，助力实现更紧凑、更集成的系统设计。这颗芯片所代表的，是意法半导体对功率半导体技术的深刻理解与持续创新。为了确保您能便捷、可靠地获得这一优质产品，我们推荐您通过官方授权的ST代理进行采购，从而获得完整的技术支持、正品保障和稳定的供货渠道。让STL110N10F7成为您下一个明星产品的强大心脏，共同开启高效、可靠的电源新纪元。

• 型号:STL110N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):107A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5117 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL110N10F7的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。