STL12N10F7

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为开关损耗和散热难题而妥协？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体STripFET F7系列中的明星产品STL12N10F7，这颗100V N沟道功率MOSFET，正是为打破效率瓶颈、释放系统潜能而生。它不仅仅是一个开关，更是您提升产品竞争力、降低运营成本的秘密武器。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高密度DC-DC转换器中，每一次开关都伴随着能量的流失与热量的堆积。STL12N10F7凭借其革命性的低导通电阻，在10V驱动下仅13.3毫欧，能够显著降低传导损耗，让更多电能转化为有效输出，而非令人头疼的热量。其高达44A的连续漏极电流承载能力和优化的栅极电荷（仅30nC），确保了在高速开关应用中既拥有强大的电流处理能力，又能实现极低的开关损耗，让您的系统运行得更凉、更静、更持久。

这款芯片的应用舞台极为广阔。无论是要求严苛的电信基础设施电源、不断进化的新能源车车载充电器（OBC），还是追求小型化的无人机动力系统、高可靠的工业自动化设备，STL12N10F7都能游刃有余。其采用先进的PowerFlat（3.3x3.3）封装，不仅提供了优异的散热性能，还极大地节省了宝贵的PCB空间，让设计师在紧凑的布局中也能实现高性能的功率转换方案。选择它，意味着您选择了经过市场验证的STripFET F7技术，其卓越的稳健性和-55°C至150°C的宽广工作结温范围，为您的产品在各种恶劣环境下稳定运行提供了坚实保障。

为何众多领先企业将STL12N10F7作为首选？因为它直击设计核心痛点。在效率为王的市场中，更低的损耗直接转化为更高的能效等级、更小的散热器尺寸以及更长的设备寿命，从而降低全生命周期成本。其平衡的性能参数，让您在功率密度、效率和成本之间找到最佳甜蜜点。如果您正在寻找一个可靠、高效且易于应用的功率开关解决方案，那么STL12N10F7无疑是您的理想之选。如需获取样品、技术资料或采购支持，欢迎联系我们的ST中国代理团队，我们将为您提供全方位的专业服务，助您的产品快人一步，赢在市场。

• 型号:STL12N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 44A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):44A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13.3 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1820 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:52W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL12N10F7的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。