STL12N65M5

在追求更高能效与更紧凑设计的电源方案中，您是否正为如何平衡性能、成本与可靠性而困扰？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STL12N65M5。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其650V的高耐压和8.5A的连续漏极电流能力，为您的高压开关应用注入强劲动力。它不仅仅是参数的堆砌，更是MDmesh V系列先进技术的结晶，旨在让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出，实现性能与价值的双重飞跃。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明驱动器中，STL12N65M5正扮演着能量高效转换的核心角色。其极低的导通电阻（典型值）和优化的栅极电荷，意味着更低的开关损耗和导通损耗，直接转化为更低的系统温升和更高的整体效率。无论是应对严苛的工业环境，还是满足消费类产品对轻薄短小的极致追求，其表面贴装的PowerFlat（5x6）封装都提供了出色的散热性能和紧凑的占板面积，让您的设计游刃有余。

选择STL12N65M5，就是选择了一份经过验证的可靠性与卓越的价值。它继承了ST意法半导体在功率器件领域数十年的深厚积淀，MDmesh V技术确保了出色的开关特性和坚固性。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和稳定的性能使其成为许多经典和长生命周期项目的理想之选。通过值得信赖的ST代理商，您依然可以获得可靠的产品供应和技术支持，为您的项目保驾护航。让这颗高效的“能量心脏”，驱动您的创意，点亮更卓越的产品未来。

• 型号:STL12N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 8.5A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:530 毫欧 @ 4.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:644 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:48W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL12N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。