STL15N65M5

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为功率密度与散热效率的平衡而烦恼？现在，我们为您带来一个卓越的解决方案STL15N65M5。这款来自ST意法半导体的高性能MOSFET，以其650V的耐压和10A的连续电流能力，为您打开了高效功率转换的新大门。它不仅仅是又一个开关器件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明驱动器中，系统需要稳定处理高电压大电流，同时机箱空间日益紧缩。STL15N65M5正是为此而生。它采用先进的MDmesh V技术，将超低的导通电阻（Rds(on)）与卓越的开关性能完美结合，显著降低了导通损耗和开关损耗。这意味着您的设备能在更低的温升下运行更长时间，可靠性大幅提升，同时让散热设计变得更加轻松，帮助您打造出体积更小、效率更高的终端产品。

选择STL15N65M5，就是选择了一份经得起考验的卓越与安心。其PowerFlat 5x6封装不仅节省了宝贵的PCB空间，更优化了热性能，确保功率能够高效耗散。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）让它能从容应对各种严苛环境。无论是提升现有方案的效率，还是开发面向未来的创新产品，这颗芯片都能提供坚实的性能基石。如果您正在寻找可靠且高性能的功率器件，通过官方授权的ST一级代理进行采购，将是保障产品品质与稳定供应的明智之选。让STL15N65M5成为您下一个成功项目的强大心脏，驱动无限可能。

• 型号:STL15N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 10A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:375 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:52W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL15N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。