STL17N3LLH6

当您的设计需要在紧凑空间内实现高效功率转换时，是否曾为寻找一颗兼具高性能与高可靠性的MOSFET而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体旗下的明星产品STL17N3LLH6，这颗采用先进PowerFlat封装的N沟道MOSFET，正是为突破空间与效率的极限而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力的强大引擎。

想象一下，在您的手持设备、便携式电源或是高密度服务器主板中，每一平方毫米的PCB面积都弥足珍贵。STL17N3LLH6凭借其仅为3.3x3.3毫米的超薄PowerFlat封装，能够轻松融入最苛刻的布局，为其他关键功能模块释放宝贵空间。其高达17A的连续漏极电流承载能力和低至4.5毫欧的导通电阻，意味着在同步整流、电机驱动、负载开关等关键应用中，它能显著降低导通损耗，将更多电能高效转化为有用功，而非令人头疼的热量。这种高效表现，直接转化为更长的电池续航、更低的系统温升以及更稳定的整体性能，让您的终端产品在市场中脱颖而出。

为何众多工程师在面临严苛的功率管理挑战时，会毫不犹豫地选择STL17N3LLH6？其核心在于意法半导体深厚的STripFET VI与DeepGATE技术底蕴。这些技术确保了芯片在仅需4.5V的低驱动电压下，就能实现极低的导通电阻，这不仅简化了驱动电路设计，更提升了系统的整体能效。宽广的-55°C至150°C结温工作范围，赋予了它应对极端环境变化的卓越鲁棒性，无论是炎热的户外设备还是低温的工业场景，都能稳定运行。虽然该型号目前已处于停产状态，但通过可靠的ST代理商渠道，您依然可以获取高质量的库存或替代方案支持，确保项目供应链的连续性与安全性。选择STL17N3LLH6，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与高性能承诺，它将为您的创新设计注入强劲而持久的动力。

• 型号:STL17N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL17N3LLH6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。