STL17N60M6

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热空间而妥协？让我们为您介绍一个突破性的选择STL17N60M6。这款来自ST意法半导体的高压MOSFET，凭借其MDmesh M6先进技术，将卓越的性能与出色的可靠性融为一体，旨在为您的产品注入强劲而高效的心脏。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明系统中，能量转换的每一个环节都至关重要。STL17N60M6正是为此类高压、高频应用场景而生。其600V的漏源电压和10A的连续电流能力，提供了坚固的安全边际，确保系统在严苛环境下稳定运行。而极低的导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg），意味着更少的导通损耗和开关损耗，直接转化为更高的系统效率和更低的温升，让您的设备运行更凉爽、更持久。

选择STL17N60M6，不仅仅是选择了一颗元器件，更是选择了一种面向未来的设计理念。其创新的PowerFlat HV封装，在提供强大功率处理能力的同时，大幅节省了PCB板空间，助力实现更轻薄、更集成的产品设计。从快速充电器到光伏逆变器，从家用电器到电信设备，它都能游刃有余，提升整体性能。我们作为值得信赖的ST一级代理，不仅能确保您获得原装正品和稳定的供货支持，更能为您提供专业的技术选型建议，让您的创新之路畅通无阻。立即采用STL17N60M6，开启能效与密度双赢的新篇章！

• 型号:STL17N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:350 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:575 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL17N60M6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。