STL19N60M6

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为功率器件的损耗与散热问题所困扰？想象一下，一颗能够将导通损耗大幅降低，同时保持卓越开关性能的功率MOSFET，将如何彻底改变您的产品格局。现在，这一切不再是想象，STL19N60M6正是为此而生，它代表着意法半导体MDmesh M6系列技术的巅峰，专为挑战高效率、高密度应用而设计。

这颗芯片的核心价值，在于其无与伦比的性能平衡。它拥有高达600V的击穿电压和11A的连续漏极电流，为您的工业电源、服务器PSU、太阳能逆变器乃至高性能LED照明驱动提供坚实的功率基础。而其真正的魅力，在于极低的308毫欧导通电阻（RDS(on)）与优化的16.8nC栅极电荷（Qg）。这意味着在每一次开关动作中，导通损耗和开关损耗都被压缩到极致，电能得以更高效地传输，而非浪费在发热上。其结果就是，您的系统整体效率显著提升，温升得到有效控制，散热设计可以更加简化，最终让产品在激烈的市场竞争中，凭借卓越的可靠性和能效脱颖而出。

当您在设计面向未来的充电桩、紧凑型家电或任何需要高压开关的场合时，STL19N60M6提供的不仅仅是参数。其采用的先进PowerFlat HV封装，在保证出色散热能力的同时，实现了极小的占板面积，让您能在有限的空间内布局更大功率，为产品的小型化、轻量化铺平道路。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在各种严苛环境下都能稳定运行，赋予终端产品强大的环境适应性和超长寿命。选择它，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺与性能保障。若您正在寻找可靠的技术伙伴与供货渠道，专业的ST代理商将为您提供从选型支持到稳定供应链的全方位服务，助您将这款卓越芯片的价值快速转化为市场优势。

• 型号:STL19N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:308毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:650 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL19N60M6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。