STL20DN10F7

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为功率密度与散热性能的平衡而烦恼？想象一下，一颗集双通道、高效率与超小封装于一体的功率器件，将如何彻底改变您的设计格局。现在，答案就在STL20DN10F7之中。

这款来自ST意法半导体的双N沟道MOSFET，天生就是为挑战极限而生。它采用先进的STripFET VII和DeepGATE技术，在仅8-PowerVDFN的超薄封装内，实现了高达100V的耐压和20A的连续电流能力。这意味着什么？意味着您可以在更小的电路板空间内，部署更强大的功率开关功能，轻松驱动电机、管理复杂的负载开关，或是构建高密度的DC-DC转换模块。其67毫欧的超低导通电阻，直接转化为更低的导通损耗和发热，让系统运行更凉爽，效率自然水涨船高。

无论是工业自动化中需要快速响应的伺服驱动器，还是通信设备里要求严苛的负载点电源，甚至是不断追求轻量化与长续航的便携式储能设备，STL20DN10F7都能游刃有余。它的双通道设计为您提供了灵活的配置选项，可以用于同步整流、半桥拓扑或独立的开关控制，极大地简化了电路布局，提升了设计自由度。面对-55°C到150°C的宽广结温范围，无论环境多么严苛，它都能稳定可靠地工作，是您构建坚固耐用产品的信心基石。

选择STL20DN10F7，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET阵列，更是选择了一种面向未来的设计哲学在寸土寸金的PCB上实现性能的最大化。它让您摆脱传统大体积器件的束缚，以更优雅的方式解决功率难题。虽然该型号已处于停产状态，但其卓越的性能指标和经过市场验证的可靠性，使其在特定升级或备货方案中依然极具价值。如需获取库存或寻找替代建议，专业的ST代理商将是您可靠的合作伙伴。立即探索STL20DN10F7的潜力，它将为您的下一个创新项目注入强大的动力与效率。

• 型号:STL20DN10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 100V 20A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:100V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:67 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.8nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:408pF @ 50V
• 功率 - 最大值:62.5W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• STL20DN10F7的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。