STL20N6F7

在追求极致能效的今天，您的电源转换系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够承载100A大电流，同时将导通电阻降至毫欧级别的功率开关，将如何彻底改变您的设计格局。这正是STL20N6F7带来的震撼价值。它不仅仅是一个参数，更是一个承诺承诺为您的产品注入澎湃动力与冷静高效。

这颗源自意法半导体尖端STripFET F7系列的产品，天生就是为高性能应用而生的引擎。无论是服务器和数据中心里要求严苛的DC-DC转换模块，还是新能源领域中蓬勃发展的车载充电机(OBC)和电机驱动，亦或是工业自动化里需要可靠动力的电机控制与电源，STL20N6F7都能游刃有余。其60V的耐压与100A的连续电流能力，为系统提供了宽广而安全的工作裕度，让您的设计在面对复杂工况时依然稳如磐石。而低至5.4毫欧的导通电阻，直接意味着更低的传导损耗，电能得以更高效地传递，而非浪费在发热上，这为提升整机效率、缩小散热系统尺寸打开了全新的可能。

选择STL20N6F7，就是选择了一种面向未来的设计哲学。它采用先进的PowerFlat封装，在仅3.3x3.3毫米的极小占板面积内，实现了卓越的散热性能和功率密度，完美契合当今电子产品小型化、集成化的趋势。极低的栅极电荷和输入电容，确保了快速的开关速度，进一步降低了开关损耗，让高频高效运行成为现实。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，赋予了它无与伦比的环境适应性与可靠性。当您需要这样一颗能够平衡性能、效率与尺寸的卓越器件时，专业的ST中国代理将是您获取正品货源、技术支持和本地化服务的坚实后盾。让STL20N6F7成为您下一个爆款产品的核心动力，共同开启高效电能转换的新篇章。

• 型号:STL20N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 100A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.4 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta），78W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL20N6F7的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。