STL20NM20N

当您的电源设计面临效率瓶颈，或者开关损耗正悄悄吞噬着系统性能时，您是否在寻找一个能同时兼顾高耐压、大电流与出色开关特性的解决方案？今天，我们为您带来的STL20NM20N，正是意法半导体基于其革命性MDmesh II技术打造的N沟道功率MOSFET，它正是为破解这些难题而生。凭借200V的漏源电压和高达20A的连续漏极电流能力，这颗芯片宛如一位动力强劲且耐力持久的“能量守门员”，确保您的系统在高压大电流工况下依然稳定可靠，将能量损耗降至新低。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源(UPS)或是高功率LED照明驱动器中，每一次开关动作都意味着能量的转换与可能的损耗。STL20NM20N的核心价值在此刻凸显。其MDmesh II结构带来了超低的导通电阻（典型值远低于105毫欧），这意味着在导通状态下，电流通过的阻碍更小，产生的热量更少，直接提升了整机效率并简化了散热设计。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，使得开关速度更快，开关损耗显著降低，特别适合高频开关应用，让您的产品在能效竞赛中快人一步。

选择STL20NM20N，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一份来自顶尖半导体制造商的技术保障与长期价值。其PowerFlat（5x6）封装在提供卓越散热性能的同时，极大节省了PCB空间，助力您的产品设计向更紧凑、更轻薄迈进。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟稳定的表现使其在诸多现有设计和备货市场中依然备受青睐。为确保您能获得原装正品与可靠供应，我们强烈建议您通过授权的ST一级代理进行采购，他们不仅能提供专业的选型支持，更能保障货源的真实与稳定，让您的项目推进全无后顾之忧。让STL20NM20N成为您提升产品竞争力、赢得市场的秘密武器。

• 型号:STL20NM20N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 20A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:105 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL20NM20N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。