STL210N4F7AG

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为功率器件的导通损耗和散热难题而困扰？想象一下，一个能同时满足高电流承载、超低损耗和紧凑布局的解决方案，将如何彻底改变您的电源设计。今天，我们向您隆重介绍意法半导体STripFET F7家族的明星产品STL210N4F7AG，这颗专为严苛应用而生的N沟道功率MOSFET，正是您苦苦寻觅的答案。

它绝不仅仅是一个参数表上的数字。高达120A的连续漏极电流承载能力，意味着它能轻松驾驭大功率能量流；而低至1.6毫欧的导通电阻，直接将传导损耗降至冰点，让系统效率实现肉眼可见的提升。更令人振奋的是，它采用了先进的PowerFlat 5x6封装，在提供强大散热能力（最大功耗150W）的同时，大幅节省了宝贵的PCB空间，让您的设计可以更紧凑、更优雅。无论是面对-55°C的严寒还是175°C的酷热，它都能稳定工作，这份由AEC-Q101车规认证背书的高可靠性，赋予了产品穿越极端环境的坚韧生命力。

那么，这颗强大的心脏最适合跳动在哪些领域呢？在新能源汽车的电机驱动、车载充电机（OBC）和DC-DC转换器中，它的高效能直接转化为更长的续航里程。在工业自动化领域，伺服驱动器、大电流开关电源依靠它来实现精准、可靠的能量控制。即便是在对空间和效率要求极高的通信基站电源、高端服务器电源中，STL210N4F7AG也能大显身手，确保关键基础设施7x24小时不间断运行。选择它，就是为您的产品注入了高性能、高可靠性的基因。

为何众多领先企业都将STL210N4F7AG作为首选？答案在于它带来的综合价值飞跃。更低的Rds(on)和优化的栅极电荷（Qg仅43nC）意味着更少的能量浪费和更快的开关速度，系统整体效率提升立竿见影。PowerFlat封装不仅散热优异，更便于自动化贴装，能有效降低您的生产成本。更重要的是，它源自意法半导体的尖端STripFET F7技术平台，品质历经全球市场千锤百炼。若您正在寻找可靠的技术伙伴与供货渠道，我们的ST中国代理团队随时准备为您提供从选型支持到供应链保障的全方位服务，助您将这款卓越芯片的价值，快速转化为产品的市场竞争力。

• 型号:STL210N4F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 毫欧 @ 16A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL210N4F7AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。