STL220N3LLH7

想象一下，当您的电源管理系统需要处理高达220A的连续电流时，如何确保效率与可靠性兼得？答案就藏在STL220N3LLH7这颗功率器件中。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体DeepGATE与STripFET VII双重技术加持下的效率革命。在30V的电压平台上，它能以低至1.1毫欧的导通电阻，将功率损耗降至前所未有的水平，让能量几乎毫无阻碍地流动，为您的系统注入强劲而纯净的动力源泉。

无论是服务器电源中要求严苛的DC-DC转换，还是电动工具里需要瞬间爆发大电流的电机驱动，甚至是新能源车车载充电机(OBC)和低压大电流的分布式电源架构，STL220N3LLH7都能游刃有余。其PowerFlat（5x6）封装不仅实现了优异的散热性能，更节省了宝贵的PCB空间，让高功率密度设计不再是难题。在-55°C至150°C的广阔温度范围内稳定工作，意味着它能从容应对极端环境，保障系统7x24小时不间断可靠运行。

选择STL220N3LLH7，就是选择了一份经过市场验证的性能承诺。其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）显著降低了开关损耗，让高频开关电源设计变得轻松高效，直接提升整机效率。对于寻求稳定供应与技术支持的设计团队，通过官方授权的ST中国代理进行采购，不仅能获得正品保障，还能获取完整的设计资源与本地化服务支持。尽管该型号已停产，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其在特定存量市场和备件领域依然拥有不可替代的价值，是构建高效、紧凑、可靠功率系统的经典之选。

• 型号:STL220N3LLH7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 220A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):220A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 毫欧 @ 25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8650 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:113W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL220N3LLH7的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。