STL22N60M6

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能在600V高压下稳定运行，同时将导通电阻和开关损耗降至新低的功率器件，将如何彻底改变您的产品性能。这正是STL22N60M6带来的核心价值。作为ST意法半导体MDmesh M6家族的杰出代表，它不仅仅是一个MOSFET，更是您实现高效、可靠、紧凑电源解决方案的得力引擎。

这颗芯片的强大，源于其革命性的MDmesh M6技术。它将卓越的开关性能与超低的导通电阻（RDS(on)）完美结合，在10A的连续电流下依然能保持高效运行。这意味着在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器乃至高功率LED照明等严苛应用中，STL22N60M6都能轻松应对，显著降低系统能耗和温升，让您的终端产品在激烈的市场竞争中凭借出色的能效比脱颖而出。其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），使得驱动更简单，开关速度更快，进一步优化了整体系统效率。

当您在设计新一代充电桩、UPS不间断电源或焊接设备时，选择STL22N60M6就意味着选择了安心与前瞻性。它采用先进的PowerFlat HV封装，在提供高达57W散热能力的同时，实现了极小的占板面积，完美契合现代电子产品小型化、高功率密度的趋势。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在各种恶劣环境下都能稳定工作，大大提升了系统的可靠性和寿命。如果您正在寻找稳定可靠的供货和技术支持，我们的合作伙伴专业的ST中国代理，将为您提供从选型到量产的全方位服务。选择STL22N60M6，不仅是选择了一颗高性能芯片，更是选择了一个能够助力您的创意落地、加速产品上市的强大后盾。

• 型号:STL22N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:57W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL22N60M6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。