STL23NM60ND

当您在设计下一款高效能电源或电机驱动方案时，是否曾为功率器件的效率瓶颈和散热难题而困扰？想象一下，一颗能在600V高压下稳定输出近20A电流，同时将导通损耗降至极低的功率MOSFET，将如何彻底改变您的产品性能格局。今天，我们向您隆重介绍意法半导体FDmesh II家族的杰出代表STL23NM60ND，它正是为破解这些核心挑战而生。

这款N沟道MOSFET绝非普通功率开关。其核心价值在于FDmesh II超结技术的深度赋能，实现了导通电阻与栅极电荷之间的卓越平衡。180毫欧的超低Rds(on)意味着在10A电流下，导通损耗被大幅削减，更多电能被高效转化为有用功，而非令人头疼的热量。同时，仅70nC的栅极电荷让开关速度更快，开关损耗显著降低，特别适合高频开关电源应用。无论是服务器电源、工业电机驱动、UPS不间断电源，还是高要求的照明镇流器，STL23NM60ND都能游刃有余，确保系统在高效、低温、稳定的状态下长时间运行。

选择STL23NM60ND，就是选择了一份可靠性与高性能的双重保障。其600V的漏源电压提供了充裕的电压余量，有效抵御线路浪涌，增强系统鲁棒性。表面贴装的PowerFlat 8x8 HV封装不仅节省了宝贵的PCB空间，其优异的散热特性更能将芯片结温产生的热量快速导出，结合高达150°C的结温工作能力，让您的设计从容应对严苛环境。虽然该型号已进入停产状态，但通过正规的ST代理渠道，您依然可以获取高质量的库存或找到完美的升级替代方案，确保项目供应链的稳定与延续。让这颗凝聚尖端技术的功率芯片，成为您打造下一代高竞争力产品的秘密武器。

• 型号:STL23NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 19.5A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2050 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta），150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL23NM60ND的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。