STL24N60M2

当您的下一个电源设计项目面临效率与尺寸的双重挑战时，您是否渴望找到一颗能同时兼顾高性能与高可靠性的“心脏”？答案就在STL24N60M2。这颗来自ST意法半导体的功率MOSFET，以其卓越的MDmesh II Plus技术，正在重新定义中高功率应用的能效标准。它不仅是一颗晶体管，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的战略选择。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）或高效照明镇流器中，STL24N60M2正以其600V的坚固耐压和高达18A的连续电流处理能力，稳定地承担着能量转换的核心任务。其极低的导通电阻（Rds(on)）意味着更少的导通损耗，直接转化为更低的发热量和更高的系统效率。在紧凑的PowerFlat HV封装内，它实现了功率密度的大幅提升，让您的设计在保持强劲动力的同时，身形更加纤薄，轻松应对空间受限的现代电子设备需求。

选择STL24N60M2，就是选择了一份来自顶尖半导体制造商的品质保证与性能承诺。其优化的栅极电荷（Qg）和电容特性，让开关过程更快、更干净，显著降低了开关损耗，并简化了驱动电路的设计。高达150°C的结温工作能力，确保了其在严苛环境下的长期稳定运行。无论您是资深工程师还是项目决策者，这颗芯片都能为您带来显著的性能提升和设计简化。如需获取稳定的供货与专业的技术支持，请联系您信赖的ST芯片代理，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。立即采用STL24N60M2，为您的电源系统注入高效、可靠的核心动力，赢得市场先机。

• 型号:STL24N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:210 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL24N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。