STL24N60M6

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为功率密度和开关损耗的平衡而烦恼？想象一下，一款能在600V高压下稳定工作，同时将导通电阻和开关损耗双双压至新低的功率MOSFET，将如何彻底改变您的产品性能？这正是STL24N60M6为您带来的核心价值。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统效率、缩小产品体积、增强市场竞争力的强大引擎。

这颗芯片的卓越性能，在各类严苛的应用场景中都能大放异彩。无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断追求轻量化与长续航的电动汽车车载充电器（OBC），STL24N60M6都能轻松应对。其高达15A的连续漏极电流和109W的强大功率处理能力，确保了系统在高负载下的稳定与可靠。当您的设计面临高温挑战时，它宽广的-55°C至150°C工作结温范围，提供了从容应对的底气，让产品即使在极端环境下也能持续高效运行。

选择STL24N60M6，就是选择了一套经过市场验证的优化解决方案。它源自意法半导体引以为傲的MDmesh M6技术平台，这项技术专为优化开关性能而生。您将欣喜地发现，其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），能显著降低开关损耗，让您的电源系统轻松突破能效瓶颈，同时简化驱动电路的设计。其创新的PowerFlat HV封装，不仅提供了优异的散热性能，更能帮助您实现前所未有的高功率密度布局，为产品小型化铺平道路。为确保您能获得原厂品质与及时的技术支持，我们推荐您通过正规的ST授权代理进行采购。让STL24N60M6成为您下一代高性能设计的基石，共同开启能效新纪元。

• 型号:STL24N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:209毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:960 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:109W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL24N60M6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。