STL285N4F7AG

在追求极致能效的电力电子设计中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一颗能够同时驾驭120A大电流和40V电压，却将导通电阻压低至惊人的1.1毫欧的功率开关，它将如何彻底改变您的电源模块或电机驱动方案？答案就是STL285N4F7AG。这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的STripFET F7技术，为您带来了前所未有的高效率与功率密度组合，让能量转换过程更加干净利落，将每一分电能都用在刀刃上。

无论是服务器和数据中心里要求严苛的DC-DC转换器，还是新能源汽车中迅猛响应的电机控制器，甚至是不断小型化的工业自动化设备，STL285N4F7AG都能成为其强劲而可靠的心脏。其PowerFlat（5x6）封装不仅实现了出色的热性能，更能帮助您在紧凑的PCB空间内布局大功率电路，轻松应对空间受限的挑战。从-55°C到175°C的宽广结温工作范围，确保了它在各种恶劣环境下依然稳定运行，让您的产品底气十足。

选择STL285N4F7AG，就是选择了一种面向未来的设计自信。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统频率可以更高，动态响应更迅捷。188W的强大耗散能力，结合其优异的导热封装，让散热设计变得更加轻松。当您需要可靠的技术支持和稳定的货源时，可以联系专业的ST代理商，他们能为您提供从选型到量产的全方位服务。这不仅仅是一颗MOSFET，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本、赢得市场的关键钥匙。立即采用STL285N4F7AG，开启高效、紧凑、可靠的电源新纪元。

• 型号:STL285N4F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 毫欧 @ 24A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:67 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:188W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL285N4F7AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。