STL30N10F7

在追求极致能效的今天，您的电源转换或电机驱动方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一款能在高频开关下依然保持冷静、将更多电能转化为有效功的功率器件，将如何彻底改变您的产品性能与市场竞争力。现在，这一切不再是想象，STL30N10F7正是为您而来的答案。

这款来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，集成了先进的STripFET VII技术与DeepGATE工艺，将导通电阻（Rds(on)）在10V驱动下压降至仅35毫欧。这意味着在高达30A的连续电流下，它的导通损耗被大幅削减，更多的能量被用于驱动负载，而非无谓地转化为热量。其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），确保了开关动作干净利落，显著降低了开关损耗，让您的系统无论是在高频DC-DC转换器、高效的服务器电源，还是需要快速响应的电机驱动和电池保护电路中，都能实现前所未有的高效率与功率密度。

从工业自动化中驱动精密伺服电机，到新能源领域管理锂电池组的充放电；从不断小型化的适配器与充电器，到对可靠性要求严苛的汽车辅助系统，STL30N10F7都能凭借其100V的耐压能力、宽广的-55°C至175°C工作结温范围以及PowerFlat 5x6封装带来的优异散热性能，轻松应对各种严苛环境。选择它，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一种更可靠、更紧凑、更节能的设计哲学。其表面贴装形式极大地节省了PCB空间，让您的产品设计能够更加纤薄、灵活。

当您寻求一个能同时提升效率、可靠性和功率密度的核心开关解决方案时，STL30N10F7提供了无可争议的价值。它代表了意法半导体在功率器件领域深厚的技术积淀，而通过值得信赖的ST中国代理，您可以便捷地获得正品货源、全面的技术支持和灵活的供应链服务。立即将STL30N10F7纳入您的下一代设计，亲身体验它如何以卓越的电气性能和坚固的物理特性，为您的产品注入强大的市场驱动力，在激烈的竞争中脱颖而出。

• 型号:STL30N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 30A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:920 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:75W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL30N10F7的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。