STL36DN6F7

想象一下，您的下一代电源设计，能否在更小的空间内实现更高的效率和更强的可靠性？这正是STL36DN6F7双N沟道MOSFET为您带来的核心价值。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力的关键引擎。基于意法半导体先进的STripFET技术，这颗芯片将卓越的性能与紧凑的封装完美结合，让您的设计从众多方案中脱颖而出。

无论是高效率的DC-DC转换器、紧凑的电机驱动模块，还是需要高功率密度的电池管理系统，STL36DN6F7都能游刃有余。其60V的漏源电压和高达33A的连续漏极电流，为您的应用提供了坚实的动力基础。更重要的是，其极低的导通电阻（仅27毫欧）和出色的栅极电荷特性，直接转化为更低的导通损耗和开关损耗，这意味着您的终端产品将拥有更长的续航、更低的发热以及更安静的工作状态。在追求极致能效的今天，选择它，就是选择了领先一步的解决方案。

当您面临选型决策时，STL36DN6F7给出了令人信服的理由。它采用先进的8-PowerVDFN封装，在提供强大功率处理能力的同时，极大地节省了宝贵的PCB空间，非常适合空间受限的现代电子设备。宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）确保了其在严苛环境下的稳定表现，从工业自动化到汽车电子，都能胜任。如果您正在寻找可靠的技术伙伴，专业的ST芯片代理将为您提供从选型支持到供应链保障的全方位服务。选择STL36DN6F7，不仅是选择了一颗高性能芯片，更是选择了一个能够助力您产品成功、赢得市场的强大后盾。

• 型号:STL36DN6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 33A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:27 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:420pF @ 30V
• 功率 - 最大值:58W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• STL36DN6F7的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。