STL3N80K5

当您的电源设计面临高压、高功率密度与可靠性的三重考验时，是否曾渴望一颗能同时兼顾性能与体积的“全能心脏”？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体新一代高压功率开关解决方案STL3N80K5。它不仅仅是一颗N沟道MOSFET，更是工程师应对800V高压环境的信心之选，以其卓越的电气性能和创新的POWERFLAT封装，重新定义了高效与紧凑的平衡点。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器项目中，STL3N80K5能够轻松驾驭高达800V的漏源电压，提供稳定可靠的2.5A连续电流。这意味着无论是工业级AC-DC转换器、功率因数校正（PFC）电路，还是家用电器中的高效电源模块，它都能成为系统稳定运行的坚实基石。其低导通电阻特性确保了更低的传导损耗，直接转化为更低的温升和更高的整体能效，让您的产品在激烈的市场竞争中凭借出色的能耗表现脱颖而出。

选择STL3N80K5，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺。意法半导体的先进工艺保证了器件的一致性与长期可靠性，显著降低了系统失效风险。更重要的是，通过我们专业的ST授权代理，您不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格，还能享受到从选型支持、技术咨询到供应链保障的全方位服务。让我们携手，将这颗高性能芯片的价值，转化为您产品无与伦比的竞争力与市场成功。

• 型号:STL3N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:-
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A POWERFLAT
• 系列:*
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:-
• 技术:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 供应商器件封装:-
• 封装/外壳:-
• STL3N80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。