STL40DN3LLH5

在追求极致能效的今天，您的电源管理系统是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？是时候拥抱新一代的解决方案了。我们隆重推出STL40DN3LLH5，这颗来自ST意法半导体STripFET V家族的明星产品，将以其卓越的性能，重新定义您对功率密度的想象。它不仅仅是一个双N沟道MOSFET阵列，更是您实现高效、紧凑设计的得力引擎。

想象一下，在您的同步整流电路、电机驱动模块或高密度DC-DC转换器中，STL40DN3LLH5正发挥着核心作用。其极低的18毫欧导通电阻，意味着在高达40A的连续电流下，导通损耗被大幅削减，电能得以更纯粹地传递。更低的损耗直接转化为更少的发热，让您的系统即使在严苛的175°C结温下也能稳定运行，可靠性大幅提升。无论是服务器电源、电动工具，还是汽车电子中的辅助驱动单元，它都能轻松应对，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

选择STL40DN3LLH5，就是选择了一种面向未来的设计哲学。其PowerFLAT56（8-PowerVDFN）超薄封装，不仅提供了优异的散热性能，更能帮助您将PCB空间利用率推向极限，实现前所未有的小型化。同时，其极低的栅极电荷和输入电容，确保了超快的开关速度，进一步减少了开关过程中的能量浪费，让整体效率再上一个台阶。为了确保您能便捷地获得这颗性能利器，我们推荐您通过官方授权的ST代理商进行采购，以获得原厂品质保障和全面的技术支持。立即行动，让STL40DN3LLH5为您的下一个创新项目注入强劲动力！

• 型号:STL40DN3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:475pF @ 25V
• 功率 - 最大值:60W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• STL40DN3LLH5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。