STL4LN80K5

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为高压开关损耗和空间占用而妥协？STL4LN80K5的出现，正是为了终结这种两难选择。它不仅仅是一颗MOSFET，更是意法半导体MDmesh K5系列技术的集大成者，将800V的卓越耐压能力与革命性的低导通电阻完美融合，为您带来前所未有的效率提升和设计自由度。想象一下，在同样严苛的功率转换任务中，它能显著降低开关损耗和温升，让您的系统运行得更冷静、更持久，这直接意味着更高的可靠性和更低的总体拥有成本。

这颗芯片天生就是为挑战高压、高密度应用场景而生。无论是工业级开关电源、LED照明驱动，还是电动汽车的辅助电源单元、家用电器中的高效功率因数校正电路，STL4LN80K5都能游刃有余。其3A的连续漏极电流和仅2.6欧姆的导通电阻，确保了在高压下依然能实现高效的能量传输。而独特的PowerFlat VHV封装，在提供出色散热性能的同时，将占板面积压缩到极致，让您能在寸土寸金的PCB上实现更强大的功率布局，轻松应对日益小型化的终端产品需求。

选择STL4LN80K5，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺与前沿技术红利。MDmesh K5技术平台经过市场严苛验证，专为优化开关性能而生，极低的栅极电荷和输入电容意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统频率可以更高，磁性元件可以更小。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）赋予了产品无与伦比的环境适应性。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的ST中国代理网络随时待命，为您从选型到量产提供全程护航。立即采用STL4LN80K5，不仅仅是升级一个元件，更是为您的产品注入领先一代的能效基因与市场竞争力。

• 型号:STL4LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）VHV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 3A PWRFLAT VHV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 欧姆 @ 1.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:110 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:38W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）VHV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL4LN80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。