STL55NH3LL

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否曾为寻找一款既能承载大电流又具备超低导通损耗的MOSFET而反复权衡？现在，答案已经揭晓。让我们向您隆重介绍STL55NH3LL，这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，正是为高效、紧凑的电源解决方案而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、降低系统热损耗、赢得市场竞争力的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、高密度DC-DC转换模块或电动工具的动力系统中，电流的顺畅通过与高效控制至关重要。STL55NH3LL凭借其高达55A的连续漏极电流承载能力和低至8.8毫欧的导通电阻，能够显著减少导通状态下的功率损耗，将更多电能转化为有效输出，而非令人头疼的热量。这意味着您的设备可以运行得更凉爽、更稳定，寿命也更长久。其采用的先进STripFET技术，确保了在紧凑的PowerFlat（5x6）封装内，实现了功率密度与散热性能的完美平衡，特别适合空间受限的现代电子设备。

选择STL55NH3LL，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的可靠保障。它宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）让其能够从容应对各种严苛环境挑战。无论是工业自动化领域的电机驱动，还是汽车电子中的辅助电源管理，它都能提供稳定如一的表现。更重要的是，通过专业的ST授权代理进行采购，您不仅能获得正品保证和具有竞争力的价格，还能得到完整的技术支持与供应链服务，让您的产品开发与生产流程全程无忧。这款芯片所代表的，是意法半导体对高性能与高可靠性的不懈追求，将其融入您的设计，无疑是迈向成功产品的重要一步。

• 型号:STL55NH3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 55A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):55A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.8 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:965 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL55NH3LL的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。