STL56N3LLH5

在追求极致能效的电力转换世界中，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？现在，答案来了。我们隆重推出STL56N3LLH5，这颗源自ST意法半导体STripFET V家族的N沟道功率MOSFET，正是为打破效率瓶颈而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、降低系统复杂度的关键引擎。凭借其卓越的电气特性，它能将您的设计带入一个更高效、更可靠、更具竞争力的新维度。

想象一下，在紧凑的同步整流电路、高密度DC-DC转换器或是电机驱动控制模块中，STL56N3LLH5正以其高达56A的连续漏极电流和低至9毫欧的导通电阻，悄无声息地发挥着巨大威力。它让能量流动的路径更顺畅，将更多的电能转化为有效输出，而非恼人的热量。无论是服务器电源、电动工具，还是汽车辅助系统，这颗芯片都能轻松应对严苛的负载变化，确保系统在高频开关下依然稳定如山。其宽广的-55°C至150°C工作结温范围，更是为您的产品适应各种极端环境提供了坚实保障。

选择STL56N3LLH5，就是选择了一种经过市场验证的可靠解决方案。STripFET V技术确保了其在性能和可靠性上的卓越平衡。其极低的栅极电荷和输入电容，意味着您可以用更小的驱动电路实现更快的开关速度，从而简化外围设计，降低整体BOM成本。同时，其表面贴装的PowerFlat（5x6）封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，还优化了散热路径，让热管理变得更加轻松。当您需要可靠的原厂技术支持与稳定的供货渠道时，请务必联系官方授权的ST代理，他们将为您提供从选型到量产的全方位专业服务。拥抱STL56N3LLH5，就是拥抱更高效率、更小体积和更强竞争力的未来。

• 型号:STL56N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 56A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):56A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:+22V，-20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:950 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL56N3LLH5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。